fiche_merzougui

Nom : Merzougui

Prénom : Amina

CV succinct

Grade : MCA

Email : merzougui.amina@univ-oeb.dz

Publications:

Communications internationales ( Après doctorat) :

[1] A. Merzougui, S. Latrèche, S, Bouchekouf, « Etude des caractéristiques C (V) de capacités à base d’oxydes high-k et semi-conducteurs à forte mobilité. « , Deuxième Congrès International sur les Nouveaux Matériaux et les Composants Actifs, Oum el Bouaghi,  Algérie, 25, 26 Juin, 2014.

[2] S, Bouchekouf, M, Marir, A. Merzougui, F, Kebaili,  « Modélisation du photocourant dans la cellule organique  « , Deuxième Congrès International sur les Nouveaux Matériaux et les Composants Actifs, Oum el Bouaghi,  Algérie, 25, 26 Juin, 2014.

[3] A, Merzougui , S. Latreche , S. Bouchekouf, « Simulation of Capacitance-Voltage C (V) and Current- Voltages I(V) characteristics of a MOS capacity with double and tri-layer high permittivity gate oxide”, Internationnal Electrical & Electronics Engineering and Technologies conferences ELECTROTECH’15, Istambul, Turkey, October 2-3, 2015.

[4] A, Merzougui , S. Latreche , S. Bouchekouf , M. Zaabat, « Intérêt des oxydes à fortes permitivités dans les structures MOS: Analyse des caractérisques C(V) et I(V) », 2ème  Conférence Internationale de l’Electronique, Electrotechnique, Automatique et de Maintenance CIEEAM 2015, Oran, 24 – 25 Novembre 2015.

[5] A, Merzougui , S. Latreche , M. Zaabat, « Influence of interface states in MOS structures: Analysis of Capacitance-Voltage characteristics », International conference on advanced material technologies (ICAMT), India, 27 – 28 December 2016.

Publication ( Après Doctorat) :

[1] A. Merzougui, S. Latrèche, S, Bouchekouf, « Etude des caractéristiques C (V) de capacités à base d’oxydes high-k et semi-conducteurs à forte mobilité. « , Journal of new technology and materials (JNTM). Vol : 5, N° :1, Juin 2015.

[2] S, Bouchekouf, M, Marir, A. Merzougui, F, Kebaili,  « Modélisation du photocourant dans la cellule organique  « , Journal of new technology and materials (JNTM) Vol : 4, N° :2, Décembre 2014.